SW4P005P
Silicon Wafer 4inch / P-type <0.005 / Prime
7 Day 25/PK
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실리콘 웨이퍼
DAU-WWAFASIA
실리콘 웨이퍼
Silicon Wafer, 4, 6 inch
반도체 소자 제조, 박막 증착 연구, MEMS 공정, 포토리소그래피 실험, 반도체 물성 연구 등에 사용됩니다. Prime Grade는 정밀한 연구 및 생산 공정에, Test Grade는 공정 개발 및 교육용으로 적합합니다. P-type과 N-type 선택을 통해 다양한 전자소자 구조를 구현할 수 있습니다.
실리콘 웨이퍼Silicon Wafer, 4, 6 inchDAU-WWAFASIAWafer[웨이퍼]
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SW4N005P
Silicon Wafer 4inch / N-type <0.005 / Prime
7 Day 25/PK
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SW4P300T
Silicon Wafer 4inch / P-type 1~30 / Test
7 Day 25/PK
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SW4P100P
Silicon Wafer 4inch / P-type 1~10 / Prime
7 Day 25/PK
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상품 설명
반도체 및 반도체 공정 연구에 사용되는 실리콘 웨이퍼입니다. 4인치와 6인치 직경으로 제공되며, P-type과 N-type의 Dopant Type을 선택할 수 있습니다. Prime Grade와 Test Grade로 구분되어 용도에 따라 선택 가능합니다. 두께는 직경에 따라 4인치는 500-550㎛, 6인치는 650-700㎛로 제공됩니다. 저항값은 <0.005 ohm, 0.01~0.02 ohm, 1~10 ohm, 1~30 ohm 등 다양한 옵션이 있습니다. 단면 연마(Single Side) 방식이며, 1-0-0 방향으로 가공되었습니다.
핵심 규격
- 직경
- 4인치 / 6인치
- Dopant Type
- P-type / N-type
- Grade
- Prime / Test
상세 규격표
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상세 규격표 1
| 카탈로그넘버 | Model | Dia. (inch) | Type | Thickness (um) | Resistivity (ohm) | Polishing Surface | Orientation | Grade |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DAU-WWAFASIA-P001U1 | SW4P005P | 4 | P | 500-550 | <0.005 | Single Side | 1-0-0 | PRIME |
| DAU-WWAFASIA-P002U1 | SW4N005P | N | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P003U1 | SW4P300T | P | 1~30 | TEST | ||||
| DAU-WWAFASIA-P004U1 | SW4P100P | 1~10 | PRIME | |||||
| DAU-WWAFASIA-P005U1 | SW4N100P | N | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P006U1 | SW6P005P | 6 | P | 650-700 | <0.005 | |||
| DAU-WWAFASIA-P007U1 | SW6N005P | N | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P008U1 | SW6P015P | P | 0.01~0.02 | |||||
| DAU-WWAFASIA-P009U1 | SW6N015P | N | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P010U1 | SW6P100P | P | 1~10 | |||||
| DAU-WWAFASIA-P011U1 | SW6N100P | N | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P012U1 | SW6P300T | P | 1~30 | TEST | ||||
| DAU-WWAFASIA-P013U1 | SW6N300T | N | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P014U1 | SW8P005P | 8 | P | 700-750 | <0.005 | PRIME | ||
| DAU-WWAFASIA-P015U1 | SW8P500T | 1-50 | TEST | |||||
| DAU-WWAFASIA-P016U1 | SW12P500TD | 12 | Double Side |
상세 규격표 2
| 카탈로그넘버 | Model | Dia. (inch) | Type | Thickness (um) | Resistivity (ohm) | Polishing Surface | Orientation | Grade | Thermal Oxidation |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DAU-WWAFASIA-P017U1 | SSW4P1000P | 4 | P | 500-550 | <0.005 | Single Side | 1-0-0 | PRIME | 1000A(=100nm) |
| DAU-WWAFASIA-P018U1 | SSW4P2000P | 2000A(=200nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P019U1 | SSW4P3000P | 3000A(=300nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P020U1 | SSW4N1000P | N | 1000A(=100nm) | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P021U1 | SSW4N2000P | 2000A(=200nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P022U1 | SSW4N3000P | 3000A(=300nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P023U1 | SSW6N1000P | 6 | P | 650-700 | 1000A(=100nm) | ||||
| DAU-WWAFASIA-P024U1 | SSW6N2000P | 2000A(=200nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P025U1 | SSW6N3000P | 3000A(=300nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P026U1 | SSW6N1000P | N | 1000A(=100nm) | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P027U1 | SSW6N2000P | 2000A(=200nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P028U1 | SSW6N3000P | 3000A(=300nm) | |||||||
| DAU-WWAFASIA-P029U1 | SSW8N005P | 8 | P | 700-750 | 1000A ~ 2um | ||||
| DAU-WWAFASIA-P030U1 | SSW8N500T | 1-50 | TEST | ||||||
| DAU-WWAFASIA-P031U1 | SSW12N1000TD | 12 | 750-800 | 1-100 | Double Side |
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FAQ
P-type과 N-type의 차이는 무엇인가요?
P-type은 정공을 주 캐리어로 하는 반도체이고, N-type은 전자를 주 캐리어로 하는 반도체입니다. 용도와 소자 구조에 따라 선택합니다.
Prime Grade와 Test Grade의 차이는 무엇인가요?
Prime Grade는 고품질 표면 및 전기적 특성을 갖춘 제품으로 정밀 공정에 사용되며, Test Grade는 공정 개발이나 교육용으로 적합한 경제적인 제품입니다.
어떤 두께와 저항값을 제공하나요?
4인치는 500-550㎛, 6인치는 650-700㎛ 두께이며, 저항값은 <0.005 ohm, 0.01~0.02 ohm, 1~10 ohm, 1~30 ohm 등 다양한 옵션을 제공합니다.
포장 단위는 어떻게 되나요?
모든 모델은 25개씩 포장(25/PK)되어 제공됩니다.
